1. 研究目的与意义
浮栅型FLASH技术主要应用于可重构的编程逻辑电路、非易失性存储器，其是反熔丝工艺技术的下一代主流技术，其军事应用领域主要是航天和航空领域，包括基于海、陆、空的军用系统、雷达、指挥与控制，以及导航系统，这主要得益于浮栅型FLASH器件的诸多优势，如可重构性、低功耗、高密度、高安全性、固件错误 (firm-error) 免疫性等。
而随着我国航天、航空、船舶、雷达、战略导弹、电子对抗、通信领域等各大重点工程要求电子系统向多功能、高性能、高可靠、小型化、薄型化、低功耗方向发展，对军用高可靠性、抗辐射非易失的Flash型存储器和可编程逻辑器件需求越为突出。
因此，为了突破抗辐照浮栅型FLASH关键技术，对其浮栅型FLASH器件在空间环境总剂量辐射电离效应及其损伤机理的研究非常必要。
2. 课题关键问题和重难点
（1）掌握0.13um~45nm浮栅器件分类（沟道、结构、功能等方面分类）、结构、发展概况及其基本工作原理（编程/擦除/读）；（2）总剂量辐射电离效应的基本概念不够理解；（3）对国内外的0.13um~45nm浮栅型FLASH存储器、带有内置嵌入式FLASH存储模块DSP、MCU、SOC、FPGA等电路总剂量抗辐射能力不够清楚；（4）总结、归纳浮栅型FLASH器件总剂量辐射效应基本特性及辐射损伤机理（如：阈值窗口、亚阈值特性、开关态等）；（5）总结出一些常规业绩在对浮栅型FLASH器件总剂量抗辐射加固基本方法及其效果；（6）浮栅型FLASH器件基本特性测试方法-编程/擦除/读浮栅型FLASH器件总剂量辐照试验；
3. 国内外研究现状（文献综述）
随着器件尺寸缩小到纳米级，辐射对电路和器件性能及可靠性的影响将更加突出。
近年来，对极端条件下微纳电子器件辐射硬度的研究得到了广泛的关注。
闪存中使用的浮栅晶体管（FGT）的辐射效应导致编程浮栅（FG）的电荷损失。
4. 研究方案
（1）首先掌握0.13um~45nm浮栅器件分类（沟道、结构、功能等方面分类）、结构、发展概况及其基本工作原理（编程/擦除/读），理解并掌握总剂量辐射电离效应的基本概念；通过查阅文献对国内外的0.13um~45nm浮栅型FLASH存储器、带有内置嵌入式FLASH存储模块DSP、MCU、SOC、FPGA等电路总剂量抗辐射能力调研（如TI、ACTEL等公司）；（2）其次总结、归纳浮栅型FLASH器件总剂量辐射效应基本特性及辐射损伤机理（如：阈值窗口、亚阈值特性、开关态等）；（3）总结出一些常规业绩在对浮栅型FLASH器件总剂量抗辐射加固基本方法及其效果；（4）实验学习浮栅型FLASH器件基本特性测试方法-编程/擦除/读浮栅型FLASH器件总剂量辐照试验 浮栅型FLASH器件要求至少要覆盖0.13um~45nm工艺节点
5. 工作计划
第1周: 文献调研，在已有文献的基础上至少查阅30篇外文文献第2~3周：对国内外的0.13um~45nm浮栅型FLASH存储器、带有内置嵌入式FLASH存储模块DSP、MCU、SOC、FPGA等电路总剂量抗辐射能力调研，并对外文文献进行翻译；第4周：文献梳理，将自己所需要的内容进行整理第5周：归纳浮栅型FLASH器件总剂量辐射效应基本特性及辐射损伤机理，总结出一些常规业绩在对浮栅型FLASH器件总剂量抗辐射加固基本方法及其效果第6~8周，论文编写第9~10周，准备论文答辩
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